湖州镓奥科技申请基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法专利, 寄生电感降低95%以上

金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，湖州镓奥科技有限公司申请一项名为“一种基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法”的专利，公开号CN120221521A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法，包括基板，所述基板的内部嵌入式安装有吸波层，所述基板上安装有铜线层，所述铜线层上喷涂有热过度层；所述热过渡层上安装有GaN芯片，所述GaN芯片的栅极区上垂直阵列有碳纳米管，所述碳纳米管上连接有驱动芯片的输出端。

天眼查资料显示，湖州镓奥科技有限公司，成立于2024年，位于湖州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，湖州镓奥科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息1条。

本文源自：金融界